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在判断滤波电解电容是否损坏,当电解电容出现下面表现形式就可以判断为损坏了,外观炸、铝壳鼓包、塑料外套管裂,流出了电解液、阀启或被压出,小型电容器顶部分瓣裂,接线柱严重锈蚀,盖板变形、脱落,说明电解电容器已损坏。用万用表测量路或短路,容量明显减小,漏电严重。造成电解电容损坏原因有以下几点:元器件本身质量不好(漏电流大、损耗大、耐压不足、含有氯离子等杂质、结构不好、寿命短)。滤波前的整流桥损坏,有交流电直接进入了电容。TN-S接地系统抵御三相不平衡的能力较差。TN-C-S系统TN-C-S系统TN-C-S系统中前部分可以抵御三相不平衡,后半部分不能抵御三相不平衡。TN-C-S系统中PE线没有电流,但如果三相不平衡,PE线上会有电压,因此PE线要重复接地。TN-C-S系统在建筑物当中是如何具体使用呢?摘自王厚余《建筑物电气装置600问》那能不能自己直接地线直接外壳吗?如果零线直接引入到用电设备的中性线接入点N中,用电设备外壳直接接地,即保护接地,这就是所谓的TT系统。主要通讯方式就是485通讯,其次还有422,232,以及CAN总线通讯,设其中一个plc为上位机,另外的都为下位机,设置不同的站号,进行交互通讯。品牌不重要,首先程序里面初始化(只需调用一次)通信格式(包括站号,波特率,校验,停止位,等),一般可以用主站的读写指令来实现,(西门子的可以直接调用modbus库,就容易很多)然后编写需要的数据。一般情况下,如果不需要读取过多参数,还可以通过触摸屏,所有的PLC都和触摸屏通讯,然后通过触摸屏转换控制。MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性,控制电路的导通和断来设计防反接保护电路,由于功率MOS管的内阻很小,现在MOSFETRds(on)已经能够到毫欧级,解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS,其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端,其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。
